IRFZ34N — N-канальный MOSFET с обратным диодом и логическим уровнем управления

 

Основные характеристики IRFZ34N

 

Максимальный ток стока                            — 26А

Максимальное напряжение сток-исток       — 55V

Сопротивление сток-исток (откр.)              — < 0,04 om

Максимальная мощность рассеивания       — 56W

Допустимое напряжение на затворе           — ±20V

Пороговое напряжение на затворе            — +2..+4V

Ток утечки затвора                                     — < 0,1 uA

Ток утечки стока (закр.)                              — < 25 uA

Время включения/выключения                   — 7/31nS (тип.)

Время восстановления диода                    — 57nS (тип.)

Входная/выходная ёмкость                        — 700/240pF

Корпус                                                       — TO-220

Диапазон рабочих температур                   — -55..+175 гр.C

  

Вложение 1: 1127_IRFZ34N.pdf 198,25 KB , (Скачиваний: 108)

Похожие статьи

0 комментариев
Только зарегистрированные и авторизованные пользователи могут оставлять комментарии.