Подготовка gerber файлов для отправки на производство из Diptrace

Почти на любом производстве печатных плат принимают формат gerber rs-274x. Это универсальный формат, в который могут экспортировать все известные мне программы трассировки. Формат подразумевает, что на каждый слой платы будет создан отдельный файл.

В данной статье рассмотрим как подготовить пакет gerber файлов для отправки на производство на примере усилителя для наушников AH-P2 в программе DipTrace.

Большинство сервисов придерживаются следующего соглашения по названию файлов

  • boardname.GTL Top Layer (верхний слой меди)
  • boardname.GBL Bottom Layer (нижний слой меди)
  • boardname.GTS Top Soldermask (верхний слой маски, обычно зелёный)
  • boardname.GBS Bottom Soldermask (нижний слой маски)
  • boardname.GTO Top Silkscreen (верхний слой маркировки)
  • boardname.GBO Bottom Silkscreen (нижний слой маркировки)
  • boardname.GKO Board Outline (контур)
  • boardname.G2L (первый внутренний слой меди, только если вы заказываете четырёхслойку)
  • boardname.G3L (второй внутренний слой меди, только если вы заказываете четырёхслойку)
  • boardname.TXT Drills (отверстия).

Заказ печатных плат в Китае

Платы для себя я обычно изготавливал самостоятельно по ЛУТ-технологии.  Но в последних моих проектах столкнулся с технологическими ограничениями. Необходимость изготовления как минимум двухслойной печатной платы вынудила меня обратиться к промышленному сервису по изготовлению печатных плат.

как заказать изготовление печатных плат в Китае

Изучение этого вопроса в интернете привели меня к выводу, что выгоднее всего заказать изготовление печатных плат в Китае.

любители звуковых карт ASUS

подскажите пожалуйста где найти схему электоическую принцыпиальную на звуковую карту asus xonar dg

Стереофонические усилители мощности на STK419-110 — STK419-150

     Вначале 90-х годов были очень популярны музыкальные центры AIWA. Долгое время верой и правдой мне служил музыкальный центр AIWA ZM-2900. Со временем вышел строя проигрыватель лазерных дисков, затем двух-кассетный магнитофон и радиоприемник. Исправными остались усилитель мощности и трансформатор. 

  Электрическую схему музыкального центра AIWA ZM-2900 можно загрузить из вложения. 

    Из всей электрической схемы меня заинтересовал стереофонический усилители мощности на STK419-150, обеспечивавший приличную мощность (около 100 W на канал) и хорошее качество звучания.

   

Усилитель Василича, версия 2016 года

Нет предела совершенствованию! Этой фразой я начинал свою статью об усилителе Василича с N-канальным выходным каскадом Алексея Никитина (версия с плавающей землей). Эта фраза актуальна и сейчас. За прошедшие два года в исходную схему УМЗЧ был внесен ряд изменений, улучшающих характеристики усилителя. 

Схема  усилителя Василича, версии 2016 года, приведена ниже.

ZVP2110A – MOSFET P-канальный полевой транзистор

 

Основные характеристики:

Максимальный ток стока                                               — 230mА

Максимальное напряжение сток-исток                          — 100V

Сопротивление сток-исток (откр.)                                 — 8 om

Максимальная мощность рассеивания                         — 700mW

Допустимое напряжение на затворе                             — ±20V

Пороговое напряжение на затворе                               — -1.5...-3.5V

Ток утечки затвора                                                        — 20 nA

Ток утечки стока (закр.)                                                 — < 1uA

Время включения/выключения                                      — 12/15 nS (тип.)

Выходная ёмкость                                                        — 100 pF

Корпус                                                                          — TO-92-3 (E-Line)

Диапазон рабочих температур                                      — -55..+150oC

IRLZ34N — N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом и логическим уровнем управления

Основные характеристики IRLZ34N

Максимальный ток стока                                               — 30А

Максимальное напряжение сток-исток                          — 55V

Сопротивление сток-исток (откр.)                                 — < 0,035 om

Максимальная мощность рассеивания                         — 68W

Допустимое напряжение на затворе                             — ±20V

Пороговое напряжение на затворе                               — +1..+2V

Ток утечки затвора                                                        — < 0,1 uA

Ток утечки стока (закр.)                                                 — < 25 uA

Время включения/выключения                                      — 9/21nS (тип.)

Время восстановления диода                                       — 76nS (тип.)

Входная/выходная ёмкость                                          — 880/220pF

Корпус                                                                          — TO-220

Диапазон рабочих температур                                      — -55..+175oC

 

IRFZ34N — N-канальный MOSFET с обратным диодом и логическим уровнем управления

 

Основные характеристики IRFZ34N

 

Максимальный ток стока                            — 26А

Максимальное напряжение сток-исток       — 55V

Сопротивление сток-исток (откр.)              — < 0,04 om

Максимальная мощность рассеивания       — 56W

Допустимое напряжение на затворе           — ±20V

Пороговое напряжение на затворе            — +2..+4V

Ток утечки затвора                                     — < 0,1 uA

Ток утечки стока (закр.)                              — < 25 uA

Время включения/выключения                   — 7/31nS (тип.)

Время восстановления диода                    — 57nS (тип.)

Входная/выходная ёмкость                        — 700/240pF

Корпус                                                       — TO-220

Диапазон рабочих температур                   — -55..+175 гр.C

  

TDA7294V, УНЧ 100В — 100Вт

Технические параметры

Количество каналов                       — 1

Выходная мощность, Вт                  — 100

Напряжение питания, В                  — ±10…40

Тип корпуса                                    — multiwatt15

Напряжение на нагрузке, В              — ±35

Сопротивление нагрузки, Ом            — 8

Вид напряжения питания                  — двухполярное